作者：吕元杰; 冯志红; 张志荣; 宋旭波; 谭鑫; ...
摘要：基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（f_T）和最大振荡频率（f_（max））的InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于再生长n＋GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距（Lsd）缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流（Ids）达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的f_T和f_（max）分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值.
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