作者：吕元杰; 冯志红; 宋旭波; 张志荣; 谭鑫; ...异质结场效应晶体管电流增益截止频率最大振荡频率再生长欧姆接触
摘要：基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于MOCVD外延n^＋GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距（Lsd）缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2 V下,器件最大饱和电流（Ids）达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值,器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明,器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.
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