作者：方青; 李芳; 刘育梁soi材料制作中心波长信道间隔波长间隔信道串扰插入损耗设计值icp测试均匀性相差刻蚀分波器件
摘要：采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为0.7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能.
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