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InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器

作者:李云涛; 张舟; 丁颜颜; 杨煜; 雷华伟; 汪...长波红外焦平面探测器

摘要:武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。

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红外技术

《红外技术》(CN:53-1053/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《红外技术》的军事应用,红外和热成像观瞄、识别、跟踪、制导,红外警戒与微光夜视技术,红外对抗与反对抗技术是本刊宣传报道的重点。

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