作者：邢怀昌; 许金通; 李向阳雪崩光电二极管盖革模式紫外死时间暗计数
摘要：本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能，为紫外通信提供数据参考。研制了适用于硅雪崩光电二极管（APD）的主动、被动两种盖革模式电路，设计并实现了输出可调至300．0V的高稳定直流高压偏置电源，实测纹波电压小于20．4mV，纹波系数小于6．8×10^-5。分别在可见盲和日盲两种紫外光照下，测试了被动盖革模式APD的死时间、暗计数和光子计数，给出了被动盖革模式工作的较佳高压偏置范围；紫外光照下，被动盖革模式APD的电路输出脉冲的死时间为1．0μs。基于被动盖革模式电路测试的参数，研制了主动盖革模式电路，实验结果表明：主动盖革模式电路输出脉冲的死时间为102．0ns，光子计数的上限由被动盖革模式的1．0MHz提高到主动盖革模式的9．8MHz。因此主动盖革模式电路在数据传输时有更高的传输带宽，预计可满足一些图像传输或者视频通信的基本要求。
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