作者：余连杰; 史衍丽; 苏玉辉; 李雄军非晶态半导体非晶态碲镉汞暗电导导电机制
摘要：利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-χCdχTe薄膜（χ=0，0．22，0．50，0．66，1），在80K~300K温度范围内，研究了Cd组分χ对暗电导的影响。当温度T〉210K时，随着Cd组分增加，暗电导减小；当温度T〈210K，随着Cd组分增加，则暗电导增大；当温度T=210K时，暗电导几乎与Cd组分无关。这可能是由于随着Cd组分增加，薄膜中的缺陷增加所致。a-Hg1-χCdχTe（χ=0、0．22、0．50、0．66和1）薄膜中存在扩展态电导和局域态电导，Cd组分χ越大，两种导电机制的转变温度Tm也越高。在T=300K时，利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg1-χCdχTe薄膜的迁移率隙Eg，随着Cd组分χ增加，迁移率隙Eg微弱减小。
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