作者：王忆锋 唐利斌gan欧姆接触紫外光子探测器发光二极管高电子迁移率晶体管异质结场效应晶体管
摘要：Ⅲ—Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。由于低掺杂和空穴电离等原因，p-GaN上的低阻接触难于制备。制备稳定的p-GaN欧姆接触一直是一个挑战。主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析，介绍了近年来在改进p-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。
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