作者：姚英hgcdte环孔工艺离子刻蚀
摘要：从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞原子总量、扩散范围、扩散系数、有效汞原子系数等关键物理参数与工艺参数。
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《红外技术》（CN：53-1053/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《红外技术》的军事应用，红外和热成像观瞄、识别、跟踪、制导，红外警戒与微光夜视技术，红外对抗与反对抗技术是本刊宣传报道的重点。
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