作者：莫德锋 刘大福 徐勤飞 吴家荣ingaas探测器光纤耦合耦合效率
摘要：设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构，测试了芯片耦合前后的性能变化，并分析了影响耦合效率的因素。结果表明，石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合。在0．9-1．7um波段，当采用与芯片尺径相当的100um光纤进行无透镜直接耦合时，耦合效率可达30％以上；当采用芯径为500岫的光纤耦合时，耦合效率可达55％以上。多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布。随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加，高斯分布曲线的半宽值增大，光束逐渐发散。芯片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大，其中对横向偏移量的依赖性最强。
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