作者：顾聚兴hgcdte红外探测器一代探测器列阵高清晰度相关产品工业生产电子技术信息技术性能样品传感器多光谱实验室极限值法国线阵双色
摘要：近十年来,基于HgCdTe的致冷型甚高性能红外探测器技术不断取得进步,今天已达到成熟的工业水平,这使得人们能以越来越合理的成本生产出可用规格(320×240元,640×480元)的探测器列阵.与此同时,更为复杂的(百万元列阵、多光谱列阵和高清晰度线阵等)传感器样品也相继出现,这说明这种高性能的探测器技术具有巨大的潜力可挖.本文介绍法国研究的红外探测器技术,并给出已投入工业生产的相关产品的工艺状况,然后重点介绍法国信息技术和电子技术实验室(LETI)最近研制的先进样品(双色列阵、百万元列阵等)的性能.从这些样品上测得的性能已接近理论所预计的极限值.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
