作者：胡亚兰; 刁训刚; 郝维昌; 王聪; 王金良; ...基底温度ito薄膜红外发射射频磁控溅射法四探针测试仪薄膜表面表征透过率氧化铟锡
摘要：本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率.利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响,并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征.实验发现,随着基底温度的升高,薄膜的表面颗粒增大,透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低.本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系.
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