作者：赵建勋硅普克尔斯效应空间电荷区
摘要：本研究采用金属-绝缘体-半导体的平板结构在（111）切向的近本征硅单晶的空间电荷区内观测到了线性电光效应。实验结果表明：硅单晶的线性电光效应十分可观,在设计硅基光电子器件时必须考虑。该效应在未来有可能作为一种研究硅器件的空间电荷区性质的工具。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《河南科技》（CN：41-1081/T）是一本有较高学术价值的大型旬刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《河南科技》杂志自创刊以来，始终紧扣“科技是第一生产力”这一主题，积极宣传国家科技发展的战略、方针、政策，在促进科技经济全面发展方面发挥了重要作用，在学术界、科技界拥有广泛的影响力和极高的知名度，各种学术指标和影响因子均名列同类期刊的前列，多次被授予“河南省优秀科技期刊”。
部级期刊
人气 1075540 评论 53
省级期刊
人气 846648 评论 70
人气 808325 评论 68
人气 753957 评论 72
