作者：任泰安; 吕春红icp基片温度刻蚀刻蚀速率
摘要：以SFe／O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si．当功率为500W，偏压为250V，气体流量45mL／min．压力分别为2．7Pa、6．7Pa、11Pa时，基片温度的改变对其刻蚀速率的影响。实验结果表明：进行室温刻蚀（≥0℃）和低温刻蚀（≤0℃）时．其刻蚀机理不尽相同．当基片温度为0℃～80℃时，对刻蚀速率起关键作用的是各向同性的化学反应刻蚀。当基片温度为-120℃～0℃时．对刘蚀速率起关键作用的是各向异性的物理刻蚀，可以获得理想的尺寸和形貌。
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