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TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱

作者:杨仍才 田勇 张伟斌 杜宇高能物理学tatb基pbx压制纳米孔隙正电子湮没寿命谱

摘要:为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药(PB X)微观结构的影响,压制了密度为1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱(PALS)技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化。结果显示:压制密度越大,PBX中纳米孔隙浓度越小,平均尺寸越大,这表明压制过程中,PBX界面孔隙不断减小,TATB晶体内部孔隙却不断增大。

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含能材料

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