作者：刘晓旭; 李彦鹏聚酰亚胺aln纳米杂化耐电晕
摘要：为提高纯聚酰亚胺(PI)的耐电晕性能,利用原位聚合法制备了不同组分无机掺杂的PI与氮化铝(Al N)纳米复合薄膜,通过扫描电镜、XRD及同步辐射小角X射线散射(SAXS)技术分析了无机纳米Al N粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态、结晶结构及电晕老化后复合膜的微观形貌,研究了不同Al N掺杂量对复合膜热稳定性和耐电晕性能的影响。结果表明:无机纳米颗粒在复合薄膜中分散均匀,有机与无机相的相容性良好;随纳米颗粒的掺杂含量增加,复合薄膜的热稳定性显著增强;随着掺杂Al N纳米粒子量的增加,复合薄膜在80 k V/mm的电场强度下,耐电晕时间显著提高,当掺杂量为15%时,耐电晕时间高达75 h,为同条件下纯PI膜的20倍。掺杂氮化铝大幅提升了复合薄膜的热稳定性与耐电晕性能。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
