硫缺陷对MoS2纳米管输运性质的影响

作者：王玉秀; 张桂玲; 于海涛mos2纳米管硫缺陷输运性质理论计算

摘要：利用密度泛函理论（DFT）和非平衡格林函数（NEGF）的方法研究了S空位缺陷对（8，8）MoS2纳米管输运性质的影响。构建了10种缺陷结构，主要考察了S空位缺陷的不同位置和缺陷量对输运性质的影响。研究结果表明，相对于纳米管的外层S原子，S缺陷更倾向于定位在纳米管的内层。不同位置的硫缺陷对能带结构的影响明显不同，外层硫缺陷既可以引入供体带也可以引入受体带，而内层硫缺陷只提供受体带。S缺陷的引入有双重作用：一是由于降低带隙对导电起促进作用；二是由于引入陷阱效应对导电起抑制作用。计算结果表明MoS2纳米管引入S缺陷后，导电性均增强。值得注意的是引入较多的外层硫缺陷会更加利于增强导电性，原因可能是更多的注入了载流子。

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