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填料法制备SiCf/SiC 复合材料的力学性能和高温介电性能

作者:穆阳; 邓佳欣; 李皓; 周万城复合材料pipsio2填料力学性能高温介电性能

摘要:为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO2 颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiCf/SiC 复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响。结果 表明:随着SiO2 含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiCf/SiC 复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达 275 MPa;低介电常数SiO2 填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15% SiO2 含量的复合材料厚度为3.2-4.0 mm时,室温反射率在整个X 波段均达到–8 dB 以下;复合材料的复介电常数随着温度的升高逐渐增大,而SiO2 能显著降低高温复介电常数及其增幅,700 ℃ 时15% SiO2 含量复合材料在2.7-3.0 mm 厚度范围具有优异的吸波性能。

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航空材料学报

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