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裂解温度对先驱体转化制备2D-Cf/SiC材料结构与性能的影响

作者:简科; 陈朝辉; 马青松; 郑文伟; 胡海峰裂解温度界面先驱体转化法

摘要:以聚碳硅烷(PCS)、二乙烯基苯(DVB)和SiC微粉为原料制备了2D-Cf/SiC材料,考察了首次裂解温度对材料结构与性能的影响。结果表明,首次裂解温度的提高有助于弱化界面结合,形成良好的界面结构,从而提高材料的力学性能。当裂解温度从1000℃提高到1600℃时,材料的弯曲强度由200.7MPa提高到319.2MPa,剪切强度由16.8MPa提高到29.8MPa,断裂韧度由7.4MPa·m^1/2提高到15.0MPa·m^1/2。

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航空材料学报

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