作者：胥建国 邹宇斌 郭之虞 唐国有 郭利安 郭...加速器中子源ccd芯片屏蔽模拟计算吸收剂量率
摘要：建立了研究加速器中子源热中子照相装置CCD芯片屏蔽效果的蒙特卡罗模拟方法，对γ与中子吸收剂量率的模拟计算结果与实验相符。进行了基于^9Be（d，n）反应的热中子照相装置屏蔽系统的优化设计，在复杂几何条件下用蒙特卡罗模拟分别计算了CCD芯片在中子、γ混合场中的吸收剂量率和快中子注量率，对CCD相机在辐射场中安全性能进行了评估。
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《核技术》（CN：31-1342/TL）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《核技术》的主要学术方向为：同步辐射技术及应用，低能加速器技术、射线技术及应用，核化学、放射化学、放射性药物和核医学，核电子学与仪器，核物理与交叉学科研究和核能科学与工程等。
