作者：闫文盛; 孙治湖; A．V.Kolobov; 韦世强扩展x射线吸收精细结构ge纳米晶局域结构
摘要：用荧光扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）研究了磁控溅射法制备的镶嵌在SiO2中的Ge纳米晶的局域结构。结果表明，在Ge的摩尔分数为25％和60％的初始样品中，Ge原子主要是以非晶GeO2和Ge物相存在，其中在Ge的摩尔分数为25％的样品中，以GeO2物相为主。经1073K退火后，样品中生成了Ge纳米晶。在Ge的摩尔分数为25％的样品中，Ge纳米晶只是来源于初始样品中的非晶Ge，而在Ge的摩尔分数为60％的样品中Ge纳米晶除了来源于初始样品中的非晶Ge外还来自于部分GeO2。进一步分析表明在Ge的摩尔分数为60％的样品中，有摩尔分数为20％的GeO2与来自衬底的Si发生还原反应生成Ge纳米晶。
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