作者：江炳尧; 蒋军; 冯涛; 任琮欣; 张正选; 柳...离子束辅助沉积ag膜沟道效应择优取向
摘要：采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜.实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向.若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500 eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向.若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向.若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向.
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