作者：李祯; 王晓芳; 赵琴pzt铁电性微加工
摘要：锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜具有高的剩余极化强度和机电耦合系数,是制备各种传感器和存贮器优良的功能材料。在器件的制备工艺中,需要将PZT铁电膜沉积到单晶Si基板上,但是,PZT过高的结晶温度会严重地破坏Si基板。为了降低PZT的结晶温度,使用紫外光辅助热处理技术对PZT前驱体薄膜进行预处理,可以将PZT的结晶温度降低至475℃,从而实现PZT薄膜的低温制备。在紫外光的预处理过程中,通过光源与PZT膜中的有机基团发生光化学作用,从而形成不溶于溶剂的活性单体,通过溶剂的清洗,可以实现对前驱体膜的微加工,形成PZT阵列,为制备高密度存贮器所需要的逻辑阵列提供了有意义的探索。
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