作者：裴振昭; 毋俊生; 王利生碳纳米管cvd法催化剂沉积率cnth2s硫化氢热力学碳沉积边界曲线碳沉积区碳沉积率硫添加物
摘要：利用俄罗斯科学院研制的CVD(Chemical vapor deposition)软件计算分析了CH4-H2S体系在101325Pa、900～1300K,CO-H2S体系在101325Pa、900～1200K下不同硫添加物含量及温度对碳沉积率的影响;绘制了碳沉积边界曲线,预测了碳沉积区;计算筛选出了适合于不同体系制备碳纳米管的催化剂.证明了加入硫添加物可以提高碳纳米管沉积率.
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