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探析快速检测单晶硅亚表面损伤层厚度方法

作者:陆迪; 孙向博; 孔德龙快速检测单晶硅亚表面损伤损伤层厚度

摘要:目的:为了保证单晶硅晶圆的精研与抛光品质,寻找一种快速检测单晶硅亚表面损伤层厚度的方法。方法:利用氢氟酸溶液对单晶硅损伤层的选择性刻蚀特性对单晶硅亚表面损伤层厚度进行检测,观察分析单晶硅亚表面损伤层厚度与刻蚀时间的关系及其损伤受载荷和速度的影响。结果:随着氢氟酸溶液刻蚀时间的增加,单晶硅亚表面损伤层厚度先快速增加,然后又逐渐趋于平稳,至30分钟后近乎被完全刻蚀。若外加载荷≤单晶硅临界屈服载荷的1.1倍,则单晶硅亚表面损伤层厚度与刻画速度呈反相关关系;若外加载荷≥单晶硅临界屈服载荷的12.5倍,则单晶硅亚表面损伤层厚度与刻画速度无相关性。结论:该方法是一种经济、简单、有效的快速检测单晶硅亚表面损伤层厚度的方法,值得在实际作业中推广应用。

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化工管理

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