作者：张晓航大扁杏基本培养基培养条件
摘要：以大扁杏龙王帽为材料,研究了外植体的消毒、基本培养基、取材部位和培养条件等因素对组培苗生长的影响。结果表明,采用1 g/L HgCl2与20 g/L NaHCO3按体积比1∶1混合的消毒合剂处理外植体8 min,灭菌成功率可达98%;以改良的MS（1/2NH4NO3）培养基为基本培养基,适合大扁杏的分化培养;最适外植体为茎尖,最佳培养条件为温度25～27℃,光照强度2 000～3 000 lx,光照时间16 h/d,pH 5.6～5.8。
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