HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

基于倍增技术的超低压高精度CMOS开关设计

作者:郑金鹏; 张生才; 姚素英; 徐江涛; 李树荣...高精度cmos开关信号摆幅自举电路

摘要:设计一种能够工作在超低电源电压下的CMOS开关.该结构运用电压倍增器获得高压,此高压使开关产生的恒定大跨导和大信号摆幅能够在低压电路中传输信号,虚拟开关提高了信号传输精度.在分析电路工作机理的基础上,结合0.35μm标准工艺模型优化了电路参数.合理的电路结构设计和版图设计增加了电路的使用寿命.理论分析和Hspice模拟结果表明:该结构能够在低于1V电源电压下工作,虚拟开关的应用使信号传输精度从69%提高到99.7%.该结构实现了低压下高精度的模拟开关设计.

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

哈尔滨工业大学学报

《哈尔滨工业大学学报》(CN:23-1235/T)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《哈尔滨工业大学学报》以自己的特色和水平在国内外学术界赢得声誉,作为美国剑桥科学文摘数据库、中国优秀期刊(遴选)数据库、中国优秀期刊综合评价数据库、中国期刊全文数据库的来源期刊,其机构用户超过3000户,分布于25个国家和地区,学术影响遍及亚洲、北美、欧洲、大洋洲等各主要大学及国家图书馆,许多文章被国内外知名检索机构转载转摘。

杂志详情