作者:牛新环; 张维连; 吕海涛; 蒋中伟直拉法硅锗单晶杂质分布分凝系数晶体生长
摘要:利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60~0.65.
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