作者：刘珉强; 杨守文; 马玉刚mcnp韧致辐射积累因子屏蔽厚度屏蔽材料
摘要：本文用MCNP程序模拟计算了有无韧致辐射时屏蔽材料的积累因子,研究在不同条件下γ射线产生的次级电子的韧致辐射对积累因子的影响。模拟结果表明：低能（〈2 MeV）γ射线下韧致辐射对积累因子影响很小,高能（〉6 MeV）γ射线下韧致辐射对积累因子影响很大;γ射线能量越大、屏蔽厚度越大或屏蔽材料原子序数Z越大,韧致辐射对积累因子影响越大。并且在涉及或不涉及韧致辐射情况下,用MCNP模拟计算的积累因子与理论计算值基本一致。
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