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BESIII升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究

作者:付婷婷; 伍灵慧; 张晋; 王亮亮; 袁野; 张...硅像素径迹室漂移室校准残差法

摘要:硅像素径迹室是BESIII升级项目之一,离线软件校准是其离线数据处理系统的重要组成部分,研究过程采用蒙特卡罗方法,将残差法应用于漂移室升级项目中硅像素径迹室的几何位置校准,分别以ladder、芯片为最小探测单元进行研究,结果表明,该方法可有效应用于硅像素径迹室的位置校准。

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核电子学与探测技术

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