作者：朱小锋; 周开明; 徐曦mos器件辐射性能总剂量mosfet辐射剂量辐照剂量率辐照实验变化关系阈值电压分析讨论辐照损伤低剂量率模拟源
摘要：对3种MOS器件在不同模拟源的两种辐照剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系.对实验结果进行了分析讨论.试验表明:在相同辐射剂量下,低剂量率辐照损伤比高剂量率大.
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《核电子学与探测技术》（CN：11-2016/TL）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《核电子学与探测技术》为专业学术性刊物。刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。
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