作者：杨斌; 王红阳; 王云波; 向玉新; 张平; 康...硅单晶辐照孔道辐照工艺
摘要：为了具备8 inch(1 inch=2.54 cm)硅单晶辐照生产能力,同时进一步提高硅单晶辐照质量,对岷江试验堆(MJTR)硅单晶辐照技术进行改进研究。通过在辐照孔道增加中子屏布置改善硅单晶辐照的不均匀性,在辐照孔道外增加反射层布置提高辐照孔道热中子注量率,满足了8inch硅单晶辐照要求;同时对硅单晶辐照操作工艺进行优化设计,并对半自动辐照控制工艺进行了设计改进。硅单晶辐照技术改进后,每罐硅操作时间缩短了一半左右,辐照罐数可增加2%,辐照生产效率提升显著。
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