作者：张丹明tio2薄膜金红石结构pld
摘要：采用PLD方法分别在GaN和A1GaN／GaN基片上生长金红石TiO2（200）薄膜．XRD和AFM分析结果表明：当基底温度为600℃时，在GaN基片上生长的金红石TiO2（200）衍射峰表现明显和尖锐，薄膜表面形貌均匀平整，说明在该条件下制备出TiO2薄膜具有更好的结晶度．用TEM对薄膜界面特征进一步分析观测，TiO2薄膜晶格条纹清晰，薄膜与基底的界面清晰整齐．结果表明，在GaN基底上成功生长金红石型TiO2薄膜．
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