作者：张国成; 张平均; 何兴理; 张红喷墨打印垂直结构晶体管超短沟道电子捕获光晶体管
摘要：通过旋涂透明源极并在其上采用喷墨打印的方式制备有源层及源漏电极,从而得到一种垂直结构光晶体管,并获得了较好的光电性能,其响应率为~1500 A/W,探测率可达1.6×10^14 Jones.向有源层中掺杂一定比例的电子捕获材料PCBM,使有源层中光生空穴复合减小,光生电流增大,从而进一步提高其光探测性能.研究发现当掺杂5wt%电子捕获材料时,垂直结构光晶体管性能达到最优,响应率为~6000 A/W,探测率可达1.4×10^15 Jones.
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