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Mg掺杂量对Zn1-xMgxO缓冲层及其Cu(In,Ga)Se2太阳电池性能的影响

作者:吴文文; 沈鸿烈; 陈洁仪; 商慧荣; 孙孪鸿...薄膜缓冲层溶胶凝胶法表面粗糙度能带结构导带偏移值

摘要:采用低成本溶胶凝胶旋涂法制备了不同Mg含量的Zn1-xMgxO薄膜,用其代替传统化学水浴法制备的CdS作为铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太阳电池的缓冲层材料.用x射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见吸收光谱和X射线光电子能谱仪等研究了Mg掺杂量对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌、光学性能及Zn1-xMgxO/CIGS异质结之间能带排列的影响.结果表明:所制备的Zn1-xMgxO薄膜均为非晶结构;随着Mg掺入量的增加,Zn1-xMgxO薄膜的表面形貌由条纹状变为六方形纳米颗粒,表面粗糙度由23.53nm减小到1.14nm;光学带隙值由3.55eV增大到3.62eV;Zn1-xMgxO/CIGS之间的导带偏移值由+0.68eV减小到一0.33eV,导带排列由“尖峰状”变为“悬崖状”;当配制的溶液中Mg源和Zn源的摩尔比为0.1时,所制备的Zn0.82Mg0.18O/GIGS之间的导带偏移值为+0.22eV,电池效率最高,达5.83%.

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光子学报

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