作者：王巍; 杨丽君; 武逶; 冯其; 白晨旭; 冯世...绝缘硅微环相移器射频相移射频功率
摘要：设计了一种基于绝缘硅材料的超小微环相移器,能够在自由频谱范围内实现2π相移的同时相移达到最佳线性化.根据全通微环谐振器的相移特性可知,在临界耦合点时微环谐振器达到π的相移,在过耦合领域达到2π相移.分析了直波导宽度及间距两个参量,用精细度F表征间距,讨论了由于这两个参量变化对微环谐振器相移的影响,并且给出了设计的相移范围和相应的功率变化.实验结果表明：若采用40GHz的射频信号,设计的微环相移器射频相移范围为0～4rad,功率变化不到6dB.
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