作者:桂周琦; 熊贵光; 张熙量子点三阶非线性极化率束缚势内建电场
摘要:在有效质量近似框架下,通过求解AlxGa1-xN/GaN自组织圆柱形量子点的薛定谔方程,计算了量子点中导带电子在两个正交方向:Z1和Z⊥方向上产生的三阶非线性极化率.计算中,电子的运动受到自组织量子点的抛物型束缚势和内建压电场的影响.计算表明,量子点的三阶非线性极化率的数量级达到了10^-14m^2/V^2.进一步在ZⅡ和Z⊥方向上,考察了三阶非线性极化率与两个方向上的抛物束缚势的频率ωp、ωz,量子点的高度L,半径R,Al的含量x之间的关系.
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社