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自主研发、技术溢出与区域创新

作者:雷海; 朱明侠fdi技术溢出pstr模型人力资本技术创新门槛效应

摘要:根据2000~2016年中国大陆31个省的面板数据,本文探讨了自主研发、技术溢出对区域技术创新的影响,实证结果表示:(1)自主研发与技术溢出是我国区域技术创新的主要途径,目前我国各省技术创新存在差距,且从长期变化趋势看差距呈扩大趋势;(2)地理因素对区域创新能力存在显著影响,R&D吸收能力、FDI技术溢出对创新的影响程度与人力资本高度相关,且自主研发相比FDI技术溢出对技术创新的影响更加显著;(3)FDI技术溢出对技术创新的影响存在双门槛效应,即当人力资本处于充足或稀缺阶段时,FDI技术溢出对技术创新的影响往往更明显;R&D吸收能力影响技术创新存在单门槛效应,即人力资本越多,R&D吸收能力对技术创新的影响越显著。因此应提高我国企业自主研发能力,制定人才激励政策并减少地区差异,从而使我国经济更加平稳健康的向前发展。

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工业技术经济

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