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适用于任意电场分布和传播方向的电光器件仿真方法

作者:邱鑫茂 马靖 谢楠 徐启峰光学器件电光器件有限元分析耦合波理论bi4ge3o12晶体

摘要:提出了1种通用的三维电光器件仿真方法。该方法将有限元电场分析和电光效应耦合波理论相结合,通过求解电光器件的琼斯矩阵,计算了任意光传播方向和任意电场分布下的电光调制特性。以横向调制的Bi4Ge3O12(BGO)晶体光学电压传感器(OVS)为例,对该方法进行了详细说明。讨论了Bi_4Ge_3O_(12)晶体内的非均匀电场及光路偏移对测量精度的影响,给出了在不同的精度等级条件下的最大允许光路偏移。该方法为光学电压传感器和其他电光器件的设计和性能评估提供了参考依据。

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光学学报

《光学学报》(半月刊)创刊于1981年,由中国科学技术协会主管,中国光学学会;中国科学院上海光学精密机械研究所主办,CN刊号为:31-1252/O4,自创刊以来,颇受业界和广大读者的关注和好评。 《光学学报》主要刊登以光学科研为主体(交叉学科须侧重光学领域),有广阔研究前景、具有国内外领先水平或独创意义的学术论文,有一定独立见解的理论论述,有可靠数据的实验报道,有科学依据的技术应用,阶段性科研成果的实验快报。

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