16×0．8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试

作者：李健; 安俊明; 王红杰; 胡雄伟光波导阵列波导光栅

摘要：叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程.通道间隔为0.8nm(100 GHz),解复用器的插入损耗为16.8dB,其中材料损耗为11.95dB,相邻通道串扰小于-17dB,通道插损非均匀性小于2.2dB.

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