作者：谭德新; 徐远; 吴小乐; 王艳丽丙基三苯乙炔基硅烷格氏反应流变分析固化工艺介电常数
摘要：以溴乙烷、丙基三氯硅烷和苯乙炔为原料，通过格氏反应合成丙基三苯乙炔基硅烷单体(PTPES)，以及热聚合法合成聚丙基三苯乙炔基硅烷树脂(PPTPES)，采用红外光谱和核磁共振对单体及聚合物的结构进行表征。通过流变分析法和非等温差示扫描量热法(DSC)对单体的固化工艺进行了分析；并采用矢量网络分析仪测定PPTPES的介电常数。实验结果表明：PTPES的熔点为75℃，加工窗口为258℃；适宜的固化工艺为(312℃,1h)+(339℃,2h)+(355℃,1h)；PPTPES树脂在1200℃下拥有较低的复介电常数与介电损耗正切值，是一种很好的耐高温透波复合材料树脂基体。
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