作者：李惠颖; 唐铭鸿; 钱程; 唐诗航; 魏晓飞; ...铁氰化钴衍生物氢氧化钴赝电容
摘要：以铁氰化钴(Co-PBA)纳米立方体为模板和前体,用水热碱处理得到其衍生物。利用扫描电镜、X射线粉末衍射仪、红外光谱和N 2吸脱附分析仪对衍生物的形貌和微观结构进行表征,并用循环伏安法和电流充放电法评价其电化学性能。结果表明:在100℃条件下使用0.2 M NaOH水热碱处理8 h后,铁氰化钴转变为介孔的氢氧化钴纳米立方体,比表面积为126 m 2/g;当电流密度为1 A/g时,比电容可达到428 F/g。
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