作者：吕文薄膜晶体管绝缘层场效应迁移率
摘要：研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝缘层,MEH-PPV作为有源层,并对器件做了晶体管电学特性方面的分析,测试结果表明器件具有较高的开关电流比和较高的迁移率,器件的场迁移率为2.0×10-2 cm2/Vs,开关电流比超过103,比绝缘层为单层Ta2O5 的晶体管器件的迁移率高了4倍,开关电流比高了一个数量级.
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