作者：常进; 黄德修半导体光放大器减反膜镀制剩余反射率
摘要：在中心波长为1 310 nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率＜10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹＜0.5 dB的半导体光放大器.
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《光通信研究》（CN：42-1266/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《光通信研究》宗旨为在坚持党的基本路线原则的前提下，活跃光通信领域的学术研究和技术交流，促进我国光通信事业的发展。荣获信息产业部优秀科技期刊二等奖；湖北省优秀科技期刊二等奖；湖北省一级（优秀）科技期刊。
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