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基于FBAR技术的S波段低插损滤波器

作者:赵洪元; 夏燕; 王亚宁; 朱健薄膜体声波滤波器s波段

摘要:研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2dB、回波损耗优于-12dB、带外抑制40dB、温漂系数-11×10^-6/℃。该滤波器芯片采用薄膜体声波谐振器(FBAR)作为基本构成单元,使用AlN压电材料、空气腔作为底部声反射结构,机电耦合特性优良、声学损耗小。使用该FBAR滤波器芯片可构成多通道滤波器组,从而极大地缩小滤波器组的体积。

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固体电子学研究与进展

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