作者：韩兴宇; 石云波; 孙亚楠4h碳化硅欧姆接触kelvin模型退火条件
摘要：提出了Ni/SiC欧姆接触的制备工艺流程,在掺杂浓度为2×10^19 cm^-3的n型4H-SiC外延片上制备出压敏电阻。应用半导体分析仪,根据Kelvin模型测试方法对欧姆接触的电子特性进行I-V测试,计算出比接触电阻。通过研究退火时间、退火温度对欧姆接触的影响,发现在950℃退火15min时,形成的欧姆接触的比接触电阻率为1.2×10^-5Ω·cm^2,这个欧姆接触的性能足以制备出压敏电阻。
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