作者：方佳怡; 刘宪云; 夏丽; 李磊绝缘栅双极型晶体管有限元分析矩阵实验室红外热成像结温
摘要：基于ANSYS及MATLAB仿真软件对半桥型IGBT器件的热分布情况进行实验和仿真建模研究。首先对IGBT器件的温度分布进行仿真建模,然后采用红外成像仪和结温测试设备分别进行了实验测量,对仿真结果进行了验证。仿真和实验研究结果表明,在器件温度分布图中,温度最高点在于芯片处以及芯片与引线连接处,证实了影响IGBT器件可靠性的主要因素在于器件升温过热引起的引线断裂、剥离、芯片过温及焊层老化等问题。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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