HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

K波段2.5 W GaN功率MMIC设计

作者:郭润楠; 张斌; 陶洪琪k波段微波单片集成电路氮化镓功率放大器

摘要:报道了一款采用0.15μm GaN功率MMIC工艺研制的功率放大器芯片。芯片工作在5G毫米波候选频段24.75-27.50GHz,采用三级放大结构。结合小信号参数和带有预匹配的Load-pull进行设计,末级匹配电路使用宽带匹配拓扑,在满足输出功率的条件下,尽可能降低损耗并兼顾效率匹配,以提升芯片附加效率;使用RCL稳定网络提高电路的稳定性,优化级间网络的版图布局提高功率分配网络和合成网络的幅相一致性;在输入级使用有耗匹配以降低芯片输入驻波。芯片在漏级电压24V连续波工作条件下,在24.5-27.5GHz范围内饱和输出功率大于34dBm(2.5 W),附加效率25%-30%。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

固体电子学研究与进展

《固体电子学研究与进展》(CN:32-1110/TN)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文,论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

杂志详情