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T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备

作者:范道雨; 林罡; 牛斌; 吴少兵太赫兹肖特基二极管t栅寄生电容串联电阻

摘要:通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO2介质进行钝化保护,比传统工艺约500nm的SiO2介质大幅降低,有效降低了器件寄生电容,研制出截止频率fT(Cj0)8THz、fT(Ctotal)3.9THz的管芯。通过直流I-V测试和小信号S参数测试提取管芯参数,并分析对比了不同阳极直径管芯的性能参数。

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固体电子学研究与进展

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