作者：郑瑞青 郑耀华 章国豪j类功率放大器效率单片微波集成电路
摘要：介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管（InGaP/GaAs HBT）功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路（MMIC）技术和射频基板封装技术得以实现。在5.8~6.2GHz的频率范围内,用连续波（CW）信号测试放大器得到的1dB压缩点输出功率都大于31dBm,饱和输出功率都大于32dBm、最大的附加功率效率（PAE）都大于56%。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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