作者：焦晋平 任舰 闫大为 顾晓峰铝镓氮氮化镓肖特基二极管缺陷辅助隧穿热发射
摘要：制备了与A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构，测量了器件的变温电流一电压特性，研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明：（1）正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流，而体电阻效应显著的高偏压区，经典热发射机制占主导地位；（2）AIGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用，载流子的主要输运过程为FrenkelPoole发射机制。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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